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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SMMB911DK-T1-GE3

SMMB911DK-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-75-6L 雙
數(shù)量：: 8811
說明：: MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC75-6L

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SMMB911DK-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：295 毫歐 @ 1.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2.6A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 8V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：115pF @ 10V
功率 - 最大：3.1W
安裝類型：表面貼裝

以上是SMMB911DK-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SMMB911DK-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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