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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SISS26LDN-T1-GE3

SISS26LDN-T1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8S
數(shù)量：: 3366
說明：: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK

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SISS26LDN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：4.8W（Ta），57W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1980 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：48 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 15A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：23.7A（Ta），81.2A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchFET? Gen IV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SISS26LDN-T1-GE3的詳細信息，包括SISS26LDN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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