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SIHP18N50C-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 3238  
說(shuō)明:
 MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V
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SIHP18N50C-E3-TO-220-3圖片

SIHP18N50C-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32 ns
上升時(shí)間:27 ns
功率耗散:223 W
柵極電荷 Qg:65 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :6.4 S
下降時(shí)間:44 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.225 Ohms
漏極連續(xù)電流:18 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP18N50C-E3的詳細(xì)信息,包括SIHP18N50C-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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