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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 10-PolarPAK?（L）
數(shù)量：: 738
說明：: MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V

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SIE882DF-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIE882DF-GE3
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：46 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：125 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PolarPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0014 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：229 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIE882DF-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIE882DF-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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