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SIE836DF-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 10-PolarPAK?（SH）
數(shù)量：: 594
說明：: MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V

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SIE836DF-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIE836DF-E3
典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：10 ns
功率耗散：5.2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PolarPAK-10
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIE836DF-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SIE836DF-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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