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SIA438EDJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量：: 8019
說明：: MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm @ 4.5V

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SIA438EDJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIA438EDJ-GE3
典型關閉延遲時間：18 ns, 15 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：12 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.046 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA438EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA438EDJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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