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SIA425EDJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量：: 1476
說明：: MOSFET 20V 4.5A 15.6W 60mOhms @ 4.5V

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SIA425EDJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIA425EDJ-GE3
功率耗散：15.6 W
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.06 Ohms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA425EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA425EDJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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