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SIA418DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量：: 2817
說明：: MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V

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SIA418DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIA418DJ-GE3
功率耗散：19 W
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70-6L
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.018 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：2.4 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA418DJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA418DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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