點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：100
上升時間：10 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.17 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI9948AEY-E3的詳細(xì)信息，包括SI9948AEY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

IRF9640PBF-BE3

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2

SIR572DP-T1-RE3