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SI9926BDY-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SO-8
數(shù)量：
 5544  
說明：
 MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V
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SI9926BDY-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：31 ns
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：100
上升時(shí)間：50 ns
功率耗散：1.14 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：20 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI9926BDY-E3的詳細(xì)信息，包括SI9926BDY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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