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SI9529DY

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 5166  
說明:
 MOSFET 20V/12V 6/5A
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SI9529DY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:70 ns, 100 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時間:70 ns, 40 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns, 60 ns
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.03 Ohms
漏極連續(xù)電流:+/- 6 A, +/- 5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V, 12 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI9529DY的詳細(xì)信息,包括SI9529DY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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