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SI8904EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-Micro Foot?（2.36x1.56）
數(shù)量：: 1170
說(shuō)明：: MOSFET 30V 4.9A 1.7W 45mohm @ 4.5V

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SI8904EDB-T2-E1-6-Micro Foot?（2.36x1.56）圖片

SI8904EDB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：1500 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：2000 ns
功率耗散：1000 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：2000 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Dual Source
漏極連續(xù)電流：3.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8904EDB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8904EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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