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SI8900EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 10-Micro Foot? CSP（2x5）
數(shù)量：: 1143
說明：: MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional

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SI8900EDB-T2-E1-10-Micro Foot? CSP（2x5）圖片

SI8900EDB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：55000 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：4500 ns
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4500 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-10
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：24 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8900EDB-T2-E1的詳細信息，包括SI8900EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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