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SI8404DB-T1-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-Microfoot
數(shù)量：: 621
說明：: MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W

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SI8404DB-T1-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI8404DB-E1
典型關(guān)閉延遲時間：110 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：12 ns
功率耗散：2.78 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：40 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.031 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8404DB-T1-E1的詳細信息，包括SI8404DB-T1-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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