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SI7866DP-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK SO-8
數(shù)量：: 5355
說(shuō)明：: MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V

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SI7866DP-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：105 ns
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：60 ns
功率耗散：5.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：60 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：過(guò)渡期間
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7866DP-T1的詳細(xì)信息，包括SI7866DP-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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