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SI7457DP-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量：
 8964  
說明：
 MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V
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SI7457DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SI7457DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI7457DP-GE3
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：5.2 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：42 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7457DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI7457DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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