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SI7342DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 8172  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
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SI7342DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SI7342DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.25 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:9A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:19nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1900pF @ 15V
功率 - 最大:1.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝

以上是SI7342DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI7342DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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