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SI6993DQ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-TSSOP
數(shù)量:
 6723  
說明:
 MOSFET 30V 4.7A 1.14W 31mohm @ 10V
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SI6993DQ-T1-GE3-8-TSSOP圖片

SI6993DQ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SI6993DQ-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:52 ns
商標(biāo)名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:14 ns
功率耗散:830 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):31 mOhms
漏極連續(xù)電流:3.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI6993DQ-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI6993DQ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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