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SI6969BDQ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-TSSOP
數(shù)量：: 7101
說(shuō)明：: MOSFET 12V 4.6A 1.14W 30mohm @ 4.5V

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SI6969BDQ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI6969BDQ-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：110 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：35 ns
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：30 mOhms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI6969BDQ-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI6969BDQ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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