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SI6966EDQ-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TSSOP-8
數(shù)量:
 315  
說明:
 MOSFET 20V 4.5A 1W
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SI6966EDQ-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:420 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:130 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:130 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSSOP-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):30 mOhms
漏極連續(xù)電流:5.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI6966EDQ-T1的詳細(xì)信息,包括SI6966EDQ-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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