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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI6803DQ-T1

SI6803DQ-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSSOP-8
數(shù)量：: 8856
說明：: MOSFET 20V 2.5/2.3A

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SI6803DQ-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 nS, 22 nS
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：34 nS, 32 nS
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：34 nS, 32 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Common Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：95 mOhms at 4.5 V at N Channel, 110 mOhms at 4.5 V at P Channel
漏極連續(xù)電流：+/- 2.5 A, +/- 2.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI6803DQ-T1的詳細(xì)信息，包括SI6803DQ-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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