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SI5479DU-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK-8 ChipFET Single
數(shù)量：: 8280
說明：: MOSFET 12V 16.9A 7.8W

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SI5479DU-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5479DU-E3
典型關(guān)閉延遲時間：76 ns, 77 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：35 ns, 13 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：115 ns, 100 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-8 ChipFET Single
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：21 mOhms
漏極連續(xù)電流：10.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5479DU-T1-E3的詳細信息，包括SI5479DU-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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