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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI5463EDC-T1

SI5463EDC-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET
數(shù)量：: 1701
說明：: MOSFET 20V 5.1A 2.3W

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SI5463EDC-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：1900 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：3200 ns
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3200 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：62 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5463EDC-T1的詳細信息，包括SI5463EDC-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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