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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4949EY

SI4949EY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 6795
說明：: MOSFET 60/30V

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SI4949EY PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：36 ns, 25 ns
工廠包裝數(shù)量：100
上升時間：11 ns, 13 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns, 15 ns
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.055 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.5 A, - 5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V, 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4949EY的詳細(xì)信息，包括SI4949EY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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