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SI4943DY

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SO-8
數(shù)量:
 2511  
說明:
 MOSFET 20V 8.4A 2W
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SI4943DY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:56 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時間:24 ns
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:24 ns
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):19 mOhms
漏極連續(xù)電流:6.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI4943DY的詳細信息,包括SI4943DY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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