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SI4936CDY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 1422
說明：: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8

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SI4936CDY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：5.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：325pF @ 15V
功率 - 最大：2.3W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4936CDY-T1-E3的詳細信息，包括SI4936CDY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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