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SI4900DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 3616
說明：: MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V

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SI4900DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4900DY-GE3
典型關閉延遲時間：20 ns, 15 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：58 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4900DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4900DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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