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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4710CY

SI4710CY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 4599
說明：: MOSFET P-Ch Battery Disc

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SI4710CY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：100
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 25 C
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 85 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：18 mOhms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4710CY的詳細(xì)信息，包括SI4710CY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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