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SI4554DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 846  
說明:
 MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
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SI4554DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4554DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:17 ns, 40 ns
上升時間:12 ns, 40 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:6.5 nC, 21.7 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :27 S, 25 S
下降時間:7 ns, 18 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.024 Ohms, 0.027 Ohms
漏極連續(xù)電流:6.8 A, - 6.6 A
汲極/源極擊穿電壓:40 V, - 40 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4554DY-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI4554DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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