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SI4500BDY-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 3951  
說(shuō)明:
 MOSFET 20V 9.1/5.3A 1.3W
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SI4500BDY-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:31 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
商標(biāo)名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
功率耗散:1.3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:50 ns at N Channel, 35 ns at P Channel
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):20 mOhms, 60 mOhms
漏極連續(xù)電流:6.6 A, 3.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4500BDY-T1的詳細(xì)信息,包括SI4500BDY-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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