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SI4497DY-T1-GE3

廠(chǎng)家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：
 2484  
說(shuō)明：
 MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III
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SI4497DY-T1-GE3-8-SOIC（0.154

SI4497DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4497DY-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：115 nS
上升時(shí)間：13 nS
功率耗散：7.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：90 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：75 S
下降時(shí)間：25 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.3 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：- 36 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4497DY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4497DY-T1-GE3廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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