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SI4435DYTR

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 3870
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

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SI4435DYTR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2320pF @ 15V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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