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SI4435DYPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 3861
說明：: MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC

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SI4435DYPBF PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：130 ns
工廠包裝數量：95
上升時間：17 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：40 nC
下降時間：31 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 8 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是SI4435DYPBF的詳細信息，包括SI4435DYPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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