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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 5490
說明：: MOSFET 2N-CH 25V 8A SO8

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SI4228DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：2 個 N 溝道（雙）
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫歐 @ 7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：790pF @ 12.5V
功率 - 最大：3.1W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4228DY-T1-E3的詳細信息，包括SI4228DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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