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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI3900DV-T1

SI3900DV-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSOP-6
數(shù)量：: 6291
說明：: MOSFET 20V 2.4A

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SI3900DV-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：14 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：30 ns
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.125 Ohms
漏極連續(xù)電流：2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3900DV-T1的詳細信息，包括SI3900DV-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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