日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI3441DV_Q

SI3441DV_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 1692
說明：: MOSFET SSOT6 SINGLE PCH

一、本商品被瀏覽0次.

SI3441DV_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：27 ns
上升時間：9 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SI3441DV_Q的詳細信息，包括SI3441DV_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：