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SI2335DS-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：
 7974  
說(shuō)明：
 MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V
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SI2335DS-T1-GE3-SOT-23-3（TO-236）圖片

SI2335DS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI2335DS-GE3
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：750 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-236-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.051 Ohms
漏極連續(xù)電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2335DS-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI2335DS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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