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SI2319CDS-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 6786
說明：: MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET

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SI2319CDS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI2319CDS-GE3
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-236
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.064 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 4.4 A
汲極/源極擊穿電壓：- 40 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI2319CDS-T1-GE3的詳細信息，包括SI2319CDS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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