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SI2309DS-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3
數(shù)量：: 612
說明：: MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V

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SI2309DS-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI2309DS-GE3
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.4 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-236-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.34 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.25 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2309DS-T1-GE3的詳細信息，包括SI2309DS-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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