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SI1958DH-T1-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SC-70-6
數(shù)量：
 6399  
說明：
 MOSFET DUAL N-CH 20V(D-S)
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SI1958DH-T1-E3-SC-70-6圖片

SI1958DH-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI1958DH-E3
典型關(guān)閉延遲時間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：25 ns
功率耗散：740 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.205 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1958DH-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI1958DH-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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