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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 6336
說明：: MOSFET 2P-CH 20V 410MA SC70-6

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SI1903DL-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：2 個 P 溝道（雙）
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：995 毫歐 @ 410mA, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：410mA
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.8nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：270mW
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1903DL-T1-GE3的詳細信息，包括SI1903DL-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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