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SI1539DL-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 6192
說明：: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6

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SI1539DL-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：480 毫歐 @ 590mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：540mA, 420mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.4nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：270mW
安裝類型：表面貼裝

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