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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI1426DH-T1-GE3

SI1426DH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數(shù)量：: 6039
說明：: MOSFET 30V 3.6A .075ohms

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SI1426DH-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI1426DH-GE3
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.075 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1426DH-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI1426DH-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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