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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI1305EDL-T1-GE3

SI1305EDL-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-3
數(shù)量：: 6264
說明：: MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3

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SI1305EDL-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫歐 @ 1A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：860mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：290mW
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1305EDL-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI1305EDL-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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