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SD56120C

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 M246
數(shù)量:
 5877  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LDMOS Transistor
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SD56120C-M246圖片

SD56120C PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:217 W
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Bulk
封裝形式:M246
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
漏極連續(xù)電流:14 A
汲極/源極擊穿電壓:72 V
輸出功率:100 W
增益:14 dB at 860 MHz
頻率:1 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:STMicroelectronics

以上是SD56120C的詳細信息,包括SD56120C廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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