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SCT30N120D2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: HiP247?
數(shù)量：: 4905
說明：: SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

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SCT30N120D2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：270W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1700 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：105 nC @ 20 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 20A，20V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：STMicroelectronics

以上是SCT30N120D2的詳細信息，包括SCT30N120D2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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