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SCT10N120H

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: H2Pak-2
數(shù)量：: 5004
說明：: SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

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SCT10N120H PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：290 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 20 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：690 毫歐 @ 6A，20V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是SCT10N120H的詳細(xì)信息，包括SCT10N120H廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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