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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > RRS125N03TB1

RRS125N03TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 2061
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

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RRS125N03TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫歐 @ 12.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs40.5nC @ 15V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12.5A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2300pF @ 10V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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