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RQ1A060ZPTR

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 8-SMD,扁平引線
數(shù)量:
 37340  
說明:
 MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
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RQ1A060ZPTR-8-SMD,扁平引線圖片

RQ1A060ZPTR PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:23 毫歐 @ 6A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:6A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:34nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2800pF @ 6V
功率 - 最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝

以上是RQ1A060ZPTR的詳細信息,包括RQ1A060ZPTR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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