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RQ3E180BNTB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-PowerVDFN
數(shù)量：: 3558
說(shuō)明：: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:

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RQ3E180BNTB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：8-PowerVDFN
封裝/外殼：8-HSMT（3.2x3）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
同步整流器：2W（Ta），20W（Tc）
頻率 - 開(kāi)關(guān)：-
電流 - 輸出：3500 pF @ 15 V
電壓 - 輸出（最大值）：±20V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：72 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：2.5V @ 1mA
電壓 - 輸入（最小值）：3.9 毫歐 @ 18A，10V
輸出數(shù)：4.5V，10V
輸出類型：18A（Ta），39A（Tc）
拓?fù)洌?0 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RQ3E180BNTB1的詳細(xì)信息，包括RQ3E180BNTB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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